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郑州科佳电炉有限公司
主营产品： 箱式马弗炉，管式炉，气氛炉等 |
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郑州科佳电炉有限公司
主营产品： 箱式马弗炉，管式炉，气氛炉等 |
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PT-CVD-1700-60*300-F3高温化学气相沉积系统 简单介绍：产品介绍：该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置 产品型号：PT-CVD-1700-60*300-F3 所在地： 更新时间：2023-02-24 |
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KJ-T12001200双温区触摸屏CVD系统 简单介绍：简介：KJ-T1200CVD是一种管式炉，配备60mm直径氧化铝管、真空泵和四通道质量流量计+一个浮子流量计气体流动系统 产品型号：KJ-T1200 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-PECVD-1200-50*300-F31200℃PECVD系统 简单介绍：产品介绍：PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜 产品型号：KJ-PECVD-1200-50*300-F3 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1200-JCY卷对卷PECVD设备 简单介绍：产品介绍：卷对卷式PECVD是等离子增强型化学气相沉积设备（PECVD），并加装了收放卷装置 产品型号：KJ-T1200-JCY 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1600 CVD1600 CVD 系统 简单介绍：产品介绍：KJ-CVD是一种分体式管式炉，配备60mm直径的石英管、真空泵和四通道质量流量计气体流动系统 产品型号：KJ-T1600 CVD 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1200-PEPECVD系统 简单介绍：产品介绍：该产品是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积 产品型号：KJ-T1200-PE 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1200-S4401200度CVD设备 简单介绍：产品介绍：KJ-T1200CVD是一种管式炉，配备100mm直径石英管、真空泵和五通道质量流量计气体流动系统 产品型号：KJ-T1200-S440 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1200 PECVD混气PECVD设备 简单介绍：产品描述：KJ-T1200PECVD是一种PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的管式炉系统，它由500W射频电源、带有200毫米直径石英管的可拆分管式炉、真空泵和三通道质量流量计气体流动系统组成 产品型号：KJ-T1200 PECVD 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-PECVD-D1等离子体增强化学气相沉积系统 简单介绍：产品介绍：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电（等离子体）使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜技术生长的一种系的制备技术 产品型号：KJ-PECVD-D1 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1200-W2双炉体CVD设备 简单介绍：产品介绍：该双炉体CVD系统为定制款，适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验 产品型号：KJ-T1200-W2 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-OTF-1700-F5三温区CVD设备 简单介绍：产品特点：1、控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单 产品型号：KJ-OTF-1700-F5 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1600 -3M3通道CVD设备 简单介绍：简单介绍：KJ-T1600CVD是一种管式炉，具有80mm直径的氧化铝管和三通道质量流量计气体流动系统 产品型号：KJ-T1600 -3M 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯生长炉PECVD设备 简单介绍：产品介绍：KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成 产品型号：KJ-T1200-S60LC-H2 所在地： 更新时间：2023-02-23 |
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KJ-1200T-S60LK3-3FZ1200度三温区CVD管式炉 简单介绍：产品介绍：KJ-1200T-S60LK3-3FZ型CVD管式炉由KJ-T1200管式炉+真空系统+供气系统组成，温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合 产品型号：KJ-1200T-S60LK3-3FZ 所在地： 更新时间：2022-01-22 |
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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S1200℃高温真空CVD设备 简单介绍：产品介绍：KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 产品型号：KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S 所在地： 更新时间：2022-01-22 |
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KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S混气管式PECVD系统 简单介绍：KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S多路混气管式PECVD系统，由KJ-T1200单温区管式炉、真空系统、质子流量计、射频电源系统系统组成 产品型号：KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S 所在地： 更新时间：2022-01-22 |
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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S1200℃石墨烯生长炉 简单介绍：产品介绍：KJ-T1200-S6012LK1-4Z5S型石墨烯生长炉由KJ-1200T管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成，温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合 产品型号：KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S 所在地： 更新时间：2022-01-22 |
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KJ-T1200-S60K-4C四路高温真空CVD设备 简单介绍：产品介绍：KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成，温度可以达到1200度，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计，可以对多种气体进行精确的混气，然后导入到管式炉内部 产品型号：KJ-T1200-S60K-4C 所在地： 更新时间：2022-01-21 |
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KJ-M1200(1400/1700)-Z箱式化学气相沉积系统 简单介绍：产品介绍：液压钟罩气氛炉采用炉体和智能控制一体化设计，整个炉体美观、大方 产品型号：KJ-M1200(1400/1700)-Z 所在地： 更新时间：2022-01-21 |
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KJ-T1200-S80-DZPECVD-R旋转PECVD系统 简单介绍：产品用途：PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜 产品型号：KJ-T1200-S80-DZPECVD-R 所在地： 更新时间：2022-01-21 |
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